[发明专利]一种高产无污染的大豆种植方法在审
| 申请号： | 201710121374.2 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN106856940A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王亚男;范思静;樊友鑫;王宝军 | 申请（专利权）人： | 安徽金培因科技有限公司 |
| 主分类号： | A01G1/00 | 分类号： | A01G1/00;A01B79/02;A01C1/00;A01N63/00;A01P3/00;A01P21/00;C05G3/02;C05C3/00 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人： | 胡剑辉 |
| 地址： | 230000 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高产无污染的大豆种植方法，包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植。本发明成本较低、可操作性强，有利于提高生产效益；不会对土壤造成二次污染，有利于环境保护；通过根瘤菌拌种和微肥拌种，有利于提高种子的抗菌能力和生长能力；通过耕前施肥，有利于提高土壤肥力；通过对种子进行处理，有利于提高种植质量和产量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高产 无污染 大豆 种植 方法 | ||
【主权项】：
一种高产无污染的大豆种植方法，其特征在于：包括耕前施肥、起垄覆膜、种子处理、播种和密植，所述的耕前施肥是指耕前每亩撒施土杂肥1600kg～1700kg、碳酸氢铵30kg、过磷酸钙50kg、硫酸钾10kg、辛硫磷颗粒农药1.5kg，耕后耙平耙细地面；所述的起垄覆膜是指当年早春，在一次施足肥料和深耕整地的基础上，按垄距90cm、垄高10cm～15cm、垄顶呈弧形的规格起垄，垄顶加盖90cm宽、0.007mm～0.008mm厚的黑色地膜，地膜要紧贴垄面，两边要垂直埋入垄边土下，垄顶膜上要压土带防风揭膜；所述的种子处理是包括晒种和拌种；所述的播种是指当5cm土层的日平均温度稳定达到10℃～12℃时播种最适宜；所述的密植是指播种时，在覆膜的垄上，按小行距30cm，平均行距45cm，穴距30cm，两行间调角打穴，穴深3cm～4cm，每穴播1粒～2粒种子；当大豆两瓣夹一心至第一片复叶展开时进行定苗，每穴选留一株。
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