[发明专利]一种半透掩膜构图方法及阵列基板、显示装置

摘要

本发明实施例提供一种半透掩膜构图方法及阵列基板、显示装置，涉及显示技术领域，能够减小位于基板上相邻的两个图案层中靠近基板一侧的图案层的突出部(Tail)。该半透掩膜构图方法包括在衬底基板上依次形成第一薄膜层、第二薄膜层、光阻薄膜层，通过半透掩膜板对光阻薄膜层进行曝光以及显影处理，对经过曝光和显影后的基板进行第一次刻蚀，对经过第一次刻蚀后的基板进行第二次刻蚀，对经过第一次刻蚀后的基板进行钝化处理，对经过钝化处理后的基板进行灰化处理，对经过灰化处理和第二次刻蚀后的基板进行第三次刻蚀，对经过第三次刻蚀后的基板进行剥离处理。

主权项

1.一种半透掩膜构图方法，其特征在于，包括：/n在衬底基板上依次形成第一薄膜层、第二薄膜层、光阻薄膜层；/n通过半透掩膜板对所述光阻薄膜层进行曝光以及显影处理，得到光阻图案层，所述光阻图案层包括光阻完全保留区、光阻半保留区和光阻去除区；/n对经过曝光和显影后的基板进行第一次刻蚀，去除所述第二薄膜层中对应所述光阻去除区的部分；/n对经过第一次刻蚀后的基板进行第二次刻蚀，去除所述第一薄膜层中对应所述光阻去除区的部分，形成第一图案层；/n对经过第一次刻蚀后的基板进行钝化处理，以在所述第二薄膜层保留部分的裸露表面上形成保护层；/n对经过钝化处理后的基板进行灰化处理，去除所述光阻图案层中位于所述光阻半保留区的部分；/n对经过灰化处理和第二次刻蚀后的基板进行第三次刻蚀，去除所述第二薄膜层保留部分中对应所述光阻半保留区的部分，形成第二图案层；/n对经过第三次刻蚀后的基板进行剥离处理，去除所述光阻图案层中剩余的部分；/n所述第一次刻蚀为湿法刻蚀；/n所述第二次刻蚀为干法刻蚀。/n