[发明专利]基材上生长AlMgB14膜层的方法及采用该方法制得的制品

摘要

本发明针对现有技术在基材表面生成保护膜时膜层均匀性差、随形性低的不足及现有技术制品摩擦系数高、耐磨性差、硬度低的不足，提供一种基材上生长AlMgB14膜层的方法及采用该方法制得的制品，一种基材上生长AlMgB14膜层的方法，采用原子层沉积的方法在制品的所需表面生长AlMgB14膜层，采用Al的前驱体、Mg的前驱体、B的前驱体三种前驱体交替反应，每种前驱体反应完成后通入H的等离子体进行还原反应，得到含有纯的Al层、Mg层和B层的AlMgB14膜层，采用本发明的方法制得的制品，膜层的随形性能好、厚度均匀，具有高的硬度、低的摩擦系数，可增强产品的耐磨性，延长制品或产品的使用寿命。

主权项

1.一种基材上生长AlMgB₁₄膜层的方法，采用原子层沉积的方法在制品的所需表面生长AlMgB₁₄膜层，其特征在于，采用Al的前驱体、Mg的前驱体、B 的前驱体三种前驱体交替反应，每种前驱体反应完成后通入H的等离子体进行还原反应，得到含有纯的Al层、Mg层和B层的AlMgB₁₄金属膜层，在耐高温基体材料上以ALD的方式生长膜层后进行快速高温退火，所述快速高温退火工艺为：在氩气和氮气环境中以每秒500℃‑1000℃速度快速升温到600‑1000℃，而后进行保温，保温时间大于等于30秒小于等于30分钟，而后在加热区外自然冷却到常温。