[发明专利]热处理装置在审
| 申请号： | 201710116541.4 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN107342244A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 和田赖彦 | 申请（专利权）人： | 光洋热系统股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 李辉,黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种热处理装置，即使在温度控制条件发生了变化的情况下，也能够使被处理物更均等地进行温度变化，并且能够自动地进行用于使被处理物更均等地进行温度变化的调整作业。热处理装置(1)具有用于收纳被处理物(100)的腔室(4)；包含有用于将冷却空气供给至腔室(4)的基准阻尼器(32)和副阻尼器(31、33)的介质供给部(7)；以及以基准阻尼器(32)供给冷却空气的供给形态为基准来控制副阻尼器(31、33)供给冷却空气的供给形态的控制部(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 | ||
【主权项】：
一种热处理装置，其特征在于，所述热处理装置具备：容器，其在被处理物的热处理时收纳所述被处理物；介质供给部，其包括用于将温度调整用的介质供给至所述容器的基准阀和副阀；以及控制部，其以所述基准阀供给所述介质的供给形态为基准，控制所述副阀供给所述介质的供给形态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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