[发明专利]一种无机卤素钙钛矿薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201710116487.3 | 申请日： | 2017-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN108525963A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 胡延强;张树芳;苗晓亮;邱婷;白帆;张陈明 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | B05D1/00 | 分类号： | B05D1/00;H01L45/00 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 刘海霞 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种无机钙钛矿薄膜的制备方法。所述方法具体为：在80～100℃下，在洁净的底电极表面喷涂钙钛矿前驱液CsPbBr3，将沉积有钙钛矿CsPbBr3的底电极边旋涂边滴加不良溶剂，在250～300℃下进行退火处理，得到无机钙钛矿薄膜。本发明在喷涂法制备的CsPbBr3钙钛矿薄膜的旋涂过程中滴加不良溶剂，通过改变不良溶剂中丁酸和甲苯的比例关系，控制CsPbBr3薄膜中的晶粒形貌，提高了CsPbBr3薄膜的稳定性，同时使其具备优异的阻变性能，在忆阻器领域应用广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 不良溶剂 钙钛矿薄膜 无机钙钛矿 底电极 钙钛矿 滴加 旋涂 制备 表面喷涂 晶粒形貌 领域应用 喷涂法制 退火处理 无机卤素 前驱液 忆阻器 甲苯 变性 丁酸 沉积 洁净 | ||
【主权项】：
1.一种无机钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在80～100℃下，在洁净的底电极表面喷涂钙钛矿前驱液CsPbBr3，将沉积有钙钛矿CsPbBr3的底电极边旋涂边滴加不良溶剂，在250～300℃下进行退火处理，得到无机钙钛矿薄膜，所述的不良溶剂为甲苯或者甲苯和丁酸的混合溶剂。
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