[发明专利]MTJ单元及STT-MRAM有效
| 申请号： | 201710115591.0 | 申请日： | 2017-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN108511602B | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 简红;蒋信 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司;浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L27/22;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 赵囡囡;吴贵明 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本申请提供了一种MTJ单元及STT‑MRAM。该MTJ单元包括参考层、双势垒结构与自由层，参考层的材料包括铁磁材料和非磁金属材料；双势垒结构设置在参考层的表面上，且双势垒结构包括第一绝缘层、量子阱层和第二绝缘层，第一绝缘层的材料的禁带宽度为η |
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| 搜索关键词： | mtj 单元 stt mram | ||
【主权项】：
1.一种MTJ单元，其特征在于，所述MTJ单元包括：参考层(2)，所述参考层(2)的材料包括铁磁材料和非磁金属材料，所述参考层(2)具有垂直磁各向异性；双势垒结构(3)，设置在所述参考层(2)的表面上，且所述双势垒结构(3)包括沿远离所述参考层(2)的方向依次设置的第一绝缘层(31)、量子阱层(32)和第二绝缘层(33)，所述第一绝缘层(31)的材料的禁带宽度为η1，所述量子阱层(32)的材料的禁带宽度为η2，所述第二绝缘层(33)的材料的禁带宽度为η3，η2＜η1，η2＜η3，当所述双势垒结构(3)两端的电压达到预定值时，入射所述双势垒结构(3)的电子与所述量子阱层(32)中的量子阱态能级发生共振，入射电子通过共振隧穿通过所述双势垒结构(3)；以及自由层(4)，设置在所述第二绝缘层(33)的远离所述量子阱层(32)的表面上，所述自由层(4)的材料包括铁磁材料和非磁金属材料，所述自由层(4)具有垂直磁各向异性。
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