[发明专利]高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池，在N型硅衬底的正面依次形成P+层、氧化硅层、氧化铝层和金属电极，在N型硅衬底的背面依次形成N+层、氮化硅层和金属电极，其特征在于：在正面金属化区域下方存在一层20nm以上的致密氧化硅层，该氧化硅层的宽度比金属栅线宽200um以上。同时，本发明还公开了一种制备所述高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法。本发明提供的N型晶体硅双面电池平均效率高于21.5%，并能有效的通过温度为85度、湿度为85%、持续时间为96h的PID测试。

主权项

1.一种制备高转化效率抗PID的N型晶体硅双面电池的方法，包括如下步骤：S1：选取N型硅片进行双面碱制绒，以形成低反射率的绒面；S2：在制绒后的硅片上用APCVD的方式在硅片的正面分别沉积一层BSG和一层SiO2；S3：将硅片放置在磷扩散管中进行磷扩散，以形成正表面的P+层和背表面的N+层；S4：将扩散后的硅片进行单面HF清洗，去除正表面的BSG层，保留背面的PSG层；S5：清洗后的硅片在氧化管中进行高温氧化，使正面形成一层氧化硅层，同时使背面PSG层中的磷原子进一步扩散到硅片中；S6：氧化后的硅片在正面金属印刷区域施加一层蜡，然后进行HF清洗，去除正面没有蜡区域的氧化硅和背面的PSG；S7：在硅片的正面先后沉积氧化铝薄膜和氮化硅薄膜，形成钝化减反膜，背面沉积氮化硅形成钝化减反膜；S8：进行丝网印刷和烧结，形成正面电极和背面电极。