[发明专利]一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺

摘要

一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，进舟、抽真空、升温、检漏、预沉积、沉积减反射膜、抽真空、充氮气、出舟；预沉积工序为通入氨气和氮气，在氮气环境的保护作用下，使氨气在射频电源作用下被电离形成等离子体，通过调节射频电源的功率控制等离子体的数量，等离子体中高速运动的电子不断撞击硅片表面，使硅片表面生长上的臭氧层被等离子体轰击脱落；解决了常规产线上由于硅片表面的臭氧层过厚或者厚度不均匀导致烧结后出现批量性脏片的技术问题，在常规的PECVD工艺中增加预沉积工序，大大提高了产品的合格率，保证了公司利益不受到损失。

主权项

一种清除单晶硅电池片烧结后脏片的工艺，其特征在于：工艺流程步骤如下：进舟：炉门打开，插满硅片的石墨舟以300～600cm/min的速度进到炉管内部后，炉门关闭；抽真空：利用真空泵将炉管内部空气抽出形成负压，避免空气残留；升温：炉管内部所有温区达到设定的温度；检漏：检查炉管漏率是否合格，避免造成生产异常；预沉积：通入氨气和氮气，在氮气环境的保护作用下，使氨气在射频电源作用下被电离形成等离子体，通过调节射频电源的功率控制等离子体的数量，等离子体中高速运动的电子不断撞击硅片表面，使硅片表面生长上的臭氧层被等离子体轰击脱落，通过控制沉积时间使硅片表面的臭氧层均匀，以达到标准要求；沉积减反射膜：通入氨气和硅烷，将氨气和硅烷配比后进行反应在硅片表面沉积形成减反射膜；抽真空：利用真空泵将炉管内部残留的剩余气体抽出，以避免打开炉门时存在安全隐患；充氮气：炉管内通入氮气使炉管达到常压，以便炉门可以打开；出舟：炉门打开，石墨舟以300～600cm/min的速度从炉管内移出，炉门关闭。