[发明专利]PI型高频高速传输用双面铜箔基板及其制备方法

摘要

本发明公开了一种PI型高频高速传输用双面铜箔基板，从上到下依次包括第一低轮廓铜箔层、上极低介电胶层、芯层、下极低介电胶层和第二低轮廓铜箔层，其中芯层为聚酰亚胺膜，第一、二低轮廓铜箔层的Rz值为0.4‑1.0μm，上极低介电胶层和下极低介电胶层的配方中含有聚酰亚胺系树脂、烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂和磷系耐燃剂，使其Dk值为2.0‑3.0(10GHz)，且Df值为0.002‑0.010(10GHz)，而且第一、二低轮廓铜箔层、上极低介电胶层、芯层和下极低介电胶层所构成的叠构的接着强度>0.7kgf/cm，且吸水率为0.01‑1.5％。故本发明不但电性良好，而且具备高速传输性、低热膨胀系数、在高温湿度环境下稳定的dk/df性能、超低吸水率、良好的UV镭射钻孔能力、适合高密度组装的低反弹力以及极佳的机械性能。

主权项

1.一种PI型高频高速传输用双面铜箔基板的制备方法，其特征在于：所述双面铜箔基板包括/n芯层(300)，所述芯层为聚酰亚胺膜；所述芯层具有相对的上、下表面；/n极低介电胶层，所述极低介电胶层具有两层且分别为上极低介电胶层(200)和下极低介电胶层(400)，所述上极低介电胶层形成于所述芯层的上表面，所述下极低介电胶层形成于所述芯层的下表面；/n低轮廓铜箔层，所述低轮廓铜箔层包括第一低轮廓铜箔层(100)和第二低轮廓铜箔层(500)，所述第一低轮廓铜箔层形成于所述上极低介电胶层的上表面，且所述上极低介电胶层粘接所述芯层和所述第一低轮廓铜箔层，所述第二低轮廓铜箔层形成于所述下极低介电胶层的下表面，且所述下极低介电胶层粘接所述芯层和所述第二低轮廓铜箔层；/n所述芯层的厚度为5-50μm；所述上极低介电胶层和所述下极低介电胶层的厚度皆为2-50μm；所述第一低轮廓铜箔层和所述第二低轮廓铜箔层的厚度皆为1-35μm；/n所述制备方法包括下述步骤：/n步骤一、将所述上极低介电胶层涂布于所述芯层的一面，并予以烘干,涂布烘箱温度50-130℃；/n步骤二、在所述上极低介电胶层的上表面压合所述第一低轮廓铜箔层，压合温度50-130℃，压合压力1.0-3.0kgf，收卷熟化；/n步骤三、将所述下极低介电胶层涂布于在所述芯层的另一面，并予以烘干，涂布烘箱温度50-130℃；/n步骤四、在所述下极低介电胶层的下表面压合所述第二低轮廓铜箔层，压合温度50-130℃，压合压力1.0-3.0kgf，收卷熟化，即得成品；/n所述双面铜箔基板的吸水率为0.01-1.5％，且所述双面铜箔基板的接着强度>0.7kgf/cm；/n所述上极低介电胶层和所述下极低介电胶层皆包括烧结二氧化硅、铁氟龙、氟系树脂、磷系耐燃剂和聚酰亚胺系树脂，且所述烧结二氧化硅、所述铁氟龙、所述氟系树脂和所述磷系耐燃剂的重量百分比之和为总固含量的8-50％，所述聚酰亚胺系树脂含量的重量百分比为40％-90％；/n且，所述烧结二氧化硅的重量百分比为总固含量的2-15％，所述铁氟龙的重量百分比为总固含量的2-10％，所述氟系树脂的重量百分比为总固含量的2-10％，所述磷系耐燃剂的重量百分比为总固含量的2-15％。/n