[发明专利]采用横向双极结型晶体管的反熔丝非易失性存储器件有效
申请号: | 201710080929.3 | 申请日: | 2017-02-15 |
公开(公告)号: | CN107221353B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 崔光一 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C17/16 | 分类号: | G11C17/16;H01L23/525 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人: | 许伟群;李少丹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种反熔丝非易失性存储器件包括反熔丝存储单元和双极结型晶体管。反熔丝存储单元具有第一端子和第二端子。第二端子耦接到字线。双极结型晶体管具有耦接到反熔丝存储单元的第一端子的集电极端子、基极端子以及耦接到位线的发射极端子。 | ||
搜索关键词: | 采用 横向 双极结型 晶体管 反熔丝 非易失性存储器 | ||
【主权项】:
一种反熔丝非易失性存储器件,包括:反熔丝存储单元,所述反熔丝存储单元具有第一端子和第二端子,第二端子耦接到字线;以及双极结型晶体管,所述双极结型晶体管具有耦接到反熔丝存储单元的第一端子的集电极端子、基极端子以及耦接到位线的发射极端子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司,未经爱思开海力士有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710080929.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:话音信号处理电路
- 下一篇:核电站冷却剂充氮设计实质防腐防爆