[发明专利]单层多晶硅非易失性存储器元件

摘要

本发明公开了一种单层多晶硅非易失性存储单元，包含选择晶体管及串接选择晶体管的浮置栅极晶体管。选择晶体管包含一选择栅极、一选择栅极氧化层、一源极掺杂区、一第一轻掺杂漏极区，接合源极掺杂区、一共享掺杂区，以及一第二轻掺杂漏极区，接合共享掺杂区。浮置栅极晶体管包含一浮置栅极、一浮置栅极氧化层、共享掺杂区、一第三轻掺杂漏极区，接合共享掺杂区，以及一漏极掺杂区，与共享掺杂区间隔开。一漏极侧延伸修正区，位于浮置栅极晶体管的一间隙壁下方，且接近漏极掺杂区。

主权项

一种单层多晶硅非易失性存储单元，其特征在于，包含：一半导体衬底；一离子井，位于所述半导体衬底中；一选择晶体管，位于所述离子井上，其中所述选择晶体管包含一选择栅极、一选择栅极氧化层，介于所述选择栅极与所述半导体衬底之间、一源极掺杂区，位于所述离子井中、一第一轻掺杂漏极区，接合所述源极掺杂区、一共享掺杂区，与所述源极掺杂区间隔开，以及一第二轻掺杂漏极区，接合所述共享掺杂区；一浮置栅极晶体管，串接所述选择晶体管，其中所述浮置栅极晶体管包含一浮置栅极、一浮置栅极氧化层，介于所述浮置栅极与所述半导体衬底之间、所述共享掺杂区、一第三轻掺杂漏极区，接合所述共享掺杂区，以及一漏极掺杂区，与所述共享掺杂区间隔开；一漏极侧延伸修正区，位于所述浮置栅极晶体管的一间隙壁下方，且接近所述漏极掺杂区；一第一硅化金属层，位于所述源极掺杂区上；以及一硅化金属阻挡层，覆盖并直接接触所述浮置栅极。