[发明专利]一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201710074301.2 | 申请日: | 2017-02-10 |
公开(公告)号: | CN106747423B | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 柯华;罗蕙佳代;张洪军;张利伟;李方喆;周俊杰;曹璐;应鹏展;刘爽;李谢凝 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C04B35/475 | 分类号: | C04B35/475;C04B35/622;C04B35/624 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 侯静 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: |
一种单相NBT基反铁电陶瓷及其制备方法,涉及一种反铁电陶瓷及其制备方法。本发明为了解决现有制备NBT基单相反铁电陶瓷的方法中阳离子分布不均匀和反铁电相变在较高温度才能发生的问题。本发明单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A |
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搜索关键词: | 一种 单相 nbt 基反铁电 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种单相NBT基反铁电陶瓷,其特征在于:单相NBT基反铁电陶瓷的化学式为(A0.5Bi0.5)xByTi0.95Nb0.05O3.025,其中0.93≤x≤0.97,0.03≤y≤0.07,x+y=1,A为钠元素或钾元素,Bi为铋元素,B为钡元素或镧元素,Ti为钛元素,Nb为铌元素,O为氧元素。
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