[发明专利]光刻参数调整方法及装置、掩膜板有效
| 申请号： | 201710071675.9 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106647163B | 公开（公告）日： | 2021-02-23 |
| 发明（设计）人： | 黎午升;曹占锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 滕一斌 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光刻参数调整方法及装置、掩膜板，属于光刻技术领域。该方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻检测图形；根据光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；在需要对光刻参数进行调整时，对光刻参数进行调整。本发明解决了光刻参数的可靠性较低的问题，提高了光刻参数的可靠性。本发明用于光刻参数调整。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 参数 调整 方法 装置 掩膜板 | ||
【主权项】：
一种光刻参数调整方法，其特征在于，所述方法包括：通过光刻工艺在第一基板上形成光刻胶图形，所述光刻胶图形包括光刻检测图形；根据所述光刻检测图形，判断是否需要对光刻工艺的光刻参数进行调整；在需要对所述光刻参数进行调整时，对所述光刻参数进行调整。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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