[发明专利]一种InP薄膜异质衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201710071303.6 | 申请日： | 2017-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN106711026A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;林家杰;游天桂;黄凯 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InP薄膜异质衬底的制备方法，至少包括提供InP衬底，且所述InP衬底具有注入面；于所述注入面进行离子共注入，以在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；提供异质衬底，将所述InP衬底与所述异质衬底进行键合，所述InP衬底的注入面为键合面；沿所述缺陷层剥离部分所述InP衬底，使所述InP衬底的一部分转移至所述异质衬底上，以在所述异质衬底上形成InP薄膜，获得InP薄膜异质衬底。通过上述方案，有效地降低剥离及转移InP薄膜所需的单一离子注入的剂量，同时避免了文献中所报道的采用零度以下低温注入的方法剥离InP材料，进而缩短了制备周期，节约了生产成本；不需要低温或高温注入，从而降低控制注入温度所需的额外能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inp 薄膜 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种InP薄膜异质衬底的制备方法，其特征在于，所述制备方法至少包括：S1：提供InP衬底，且所述InP衬底具有注入面；S2：于所述注入面进行离子共注入，以在所述InP衬底的预设深度处形成缺陷层；S3：提供异质衬底，将所述InP衬底与所述异质衬底进行键合，所述InP衬底的注入面为键合面；S4：沿所述缺陷层剥离部分所述InP衬底，使所述InP衬底的一部分转移至所述异质衬底上，以在所述异质衬底上形成InP薄膜，获得InP薄膜异质衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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