[发明专利]一种晶体生长过程高精度温度控制系统

摘要

本发明涉及一种晶体生长过程高精度温度控制系统，系统包括生长装置、过滤装置和控制装置。控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成；PLC通过输入接口与过滤装置中液位开关及测温热电阻相连，通过输出接口与过滤装置中的电加热、电磁阀、循环泵及输送泵相连，与生长装置中的电磁阀、循环泵、直流电机相连；PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连，智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连，智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度，控制精度达到±0.01℃。本发明系统提高了大尺寸KDP晶体的生长质量。

主权项

一种晶体生长过程高精度温度控制系统，其特征在于，系统包括生长装置、过滤装置和控制装置；控制装置由PLC、触摸屏、输入接口、输出接口、固态继电器和高精度智能温度控制表组成，PLC通过输入接口与过滤装置中的二个三点式液位开关及二个测温热电阻相连，PLC通过输出接口与过滤装置中的二个电加热器、二个电磁阀、二个循环泵及一个输送泵相连，PLC通过输出接口与生长装置中的一个电磁阀、一个循环泵、一个直流电机相连，PLC主机通过RS485接口与高精度智能温度控制表相连；智能温度控制表的输入直接与生长装置中测温热电阻相连，获得生长液温度，智能温度控制表的输出通过固态继电器控制育晶罐夹套内的电加热器从而控制生长液温度；PLC通过RS485接口实时获取智能温度控制表的测量温度，PLC根据降温速率计算当前所需的生长溶液温度设定值，通过RS485接口实时发送给智能温度控制表，由智能温度控制表进行育晶罐温度控制；高精度智能温度控制表的温度测量精度为±0.001℃，通过控制育晶罐夹套内的电加热器先加热夹套中的水，再通过罐壁热交换使育晶罐内生长溶液的温度控制精度达到±0.01℃，保持育晶罐内生长溶液的温度恒定并在三个月的生长周期内非常缓慢从65℃缓慢降低到25℃。