[发明专利]一种阵列基板制造方法及阵列基板

摘要

本发明公开了一种阵列基板制造方法及阵列基板，属于显示器领域。所述方法包括：提供一基板；在所述基板上依次制作栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层；在所述钝化层上形成一层光刻胶；将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除，并将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，所述设定厚度小于所述光刻胶的总厚度；对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀；将待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除；再次对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，直到露出源漏极层和栅极层。上述阵列基板制造方法在进行刻蚀时，没有造成源极出现过刻现象，保证了源极信号的正常传输。

主权项

1.一种阵列基板制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一基板；/n在所述基板上依次制作栅极层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层和钝化层；/n在所述钝化层上形成一层光刻胶；/n将待形成栅极过孔的区域的光刻胶全部去除，并将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，所述设定厚度为所述光刻胶的总厚度的1/2，所述光刻胶的总厚度为20000埃～23000埃；/n对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀；/n将所述待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除，并将除所述待形成源极过孔的区域之外的区域的光刻胶减薄；/n再次对光刻胶全部去除的区域进行刻蚀，直到露出所述源漏极层和所述栅极层；/n除掉剩余的光刻胶；/n将所述待形成源极过孔的区域的光刻胶全部去除，包括：/n采用等离子体刻蚀工艺对待形成源极过孔的区域的光刻胶进行刻蚀，其中，对所述光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀温度小于对所述光刻胶进行刻蚀的刻蚀温度，对所述光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀功率小于对所述光刻胶进行刻蚀的刻蚀功率，对所述光刻胶全部去除的区域进行刻蚀的刻蚀压力小于对所述光刻胶进行刻蚀的刻蚀压力；/n所述将待形成源极过孔的区域的光刻胶去除掉设定厚度，包括：采用半透掩膜板对所述阵列基板的发光区域进行遮挡曝光，然后进行显影处理，以去除掉所述待形成源极过孔的区域内设定厚度的光刻胶，所述半透掩膜板对应所述源极过孔的位置为半透膜，所述半透掩膜板对应所述栅极过孔的位置为全透膜或者通孔。/n