[发明专利]掩模的制作方法有效

专利信息
申请号: 201710063695.1 申请日: 2017-02-03
公开(公告)号: CN108389830B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 陈界得;朱贤士;王程钰 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762;H01L21/027
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种掩模的制作方法,包含提供一基底,基底上覆盖一第一材料层,部分移除第一材料层,使得剩余的第一材料层之间形成一第二沟槽,其中第二沟槽包含一高度,之后形成一第二材料层顺应地填入第二沟槽,其中第二材料层包含一厚度,第二材料层的厚度等于第二沟槽的高度,最后部分移除第二材料层,使得剩余的第二材料层和剩余的第一材料层组成一第二掩模。
搜索关键词: 制作方法
【主权项】:
1.一种掩模的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层;形成一第一掩模覆盖该第一材料层,该第一掩模包含多个次掩模,其中一第一沟槽设置于相邻的各该次掩模之间;以该第一掩模为掩模部分移除该第一材料层,使得剩余的该第一材料层之间形成一第二沟槽,该第二沟槽和该第一沟槽共同组成一第三沟槽,其中该第二沟槽包含一高度,该第三沟槽包含二侧壁和一底部;形成一第二材料层顺应地填入该第三沟槽,其中该第二材料层包含一厚度,第二材料层的该厚度等于该第二沟槽的该高度;以及移除接触该第三沟槽的该多个侧壁的该第二材料层以及完全移除该第一掩模,剩余的该第二材料层位于该第二沟槽内,其中剩余的该第二材料层和剩余的该第一材料层组成一第二掩模。
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