[发明专利]掩模的制作方法有效
申请号: | 201710063695.1 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN108389830B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 陈界得;朱贤士;王程钰 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种掩模的制作方法,包含提供一基底,基底上覆盖一第一材料层,部分移除第一材料层,使得剩余的第一材料层之间形成一第二沟槽,其中第二沟槽包含一高度,之后形成一第二材料层顺应地填入第二沟槽,其中第二材料层包含一厚度,第二材料层的厚度等于第二沟槽的高度,最后部分移除第二材料层,使得剩余的第二材料层和剩余的第一材料层组成一第二掩模。 | ||
搜索关键词: | 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种掩模的制作方法,包含:提供一基底,该基底上覆盖一第一材料层;形成一第一掩模覆盖该第一材料层,该第一掩模包含多个次掩模,其中一第一沟槽设置于相邻的各该次掩模之间;以该第一掩模为掩模部分移除该第一材料层,使得剩余的该第一材料层之间形成一第二沟槽,该第二沟槽和该第一沟槽共同组成一第三沟槽,其中该第二沟槽包含一高度,该第三沟槽包含二侧壁和一底部;形成一第二材料层顺应地填入该第三沟槽,其中该第二材料层包含一厚度,第二材料层的该厚度等于该第二沟槽的该高度;以及移除接触该第三沟槽的该多个侧壁的该第二材料层以及完全移除该第一掩模,剩余的该第二材料层位于该第二沟槽内,其中剩余的该第二材料层和剩余的该第一材料层组成一第二掩模。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司,未经联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710063695.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型薄片吸取装置
- 下一篇:层间介质层的填充方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造