[发明专利]包括横向晶体管的半导体器件有效
| 申请号： | 201710063176.5 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107026207B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | F.希尔勒;A.毛德;A.迈泽;T.施勒泽 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包括横向晶体管的半导体器件。一种半导体器件（1）包括第一导电类型的源极区（201）和漏极区（204）。源极区（201）和漏极区（204）布置在与半导体衬底（100）的第一主表面（100）平行的第一方向上。半导体器件（1）进一步包括层堆叠（241），层堆叠（241）包括第一导电类型的漂移层（211）和第二导电类型的补偿层（221）。漏极区（204）与漂移层（211）电连接。半导体器件进一步包括延伸到半导体衬底（100）中的第二导电类型的连接区（222），该连接区（222）与补偿层（221）电连接，其中掩埋半导体部分（253）不与漂移层（211）完全重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 横向 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件（1），包括：漂移接触区（218）；第一导电类型的漏极区（204），所述漂移接触区（218）和所述漏极区（204）布置在与半导体衬底（100）的第一主表面（110）平行的第一方向上；层堆叠（241），包括第一导电类型的漂移层（211）和第二导电类型的补偿层（221），所述漏极区（204）与所述漂移层（211）电连接；在所述半导体衬底（100）中延伸的第二导电类型的连接区（222），所述连接区（22）与所述补偿层（221）电连接；以及在所述层堆叠（241）下方并且与所述连接区（222）电接触的掩埋半导体部分（253），其中，所述掩埋半导体部分（253）不与所述漂移层（211）完全重叠。
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