[发明专利]一种全光固态超快光探测器的制备方法

摘要

本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域，具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特殊之处在于包括以下步骤1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2‑5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上；4)将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。

主权项

一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)外延片制备：在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2‑5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)上DBR蒸镀：在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)外延片绑定：在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上，用紫外灯通过石英面照射紫外固化胶，使胶固化；4)衬底减薄：将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)下DBR蒸镀：在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。