[发明专利]一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法有效
申请号: | 201710052051.2 | 申请日: | 2017-01-20 |
公开(公告)号: | CN106747421B | 公开(公告)日: | 2019-10-29 |
发明(设计)人: | 丁明建;庄彤;杨俊峰 | 申请(专利权)人: | 广州天极电子科技有限公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;C04B35/47;C04B35/626;C04B35/628 |
代理公司: | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人: | 顿海舟;李唐明 |
地址: | 510288 广东省广州市大干围*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种钛酸锶粉体,以及一种水热法合成晶界层陶瓷电容器用粉体的方法,该方法主要包括如下步骤:(1)球形偏钛酸的制备;(2)球形掺铌钛酸锶的制备;(3)半导化掺铌钛酸锶;(4)包裹偏钛酸;(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶。本发明采用两步水热合成的办法,制备出绝缘钛酸锶包裹半导化钛酸锶的核‑壳结构粉体,实现了最终合成核‑壳结构粉体的球形形貌,同时为晶界层陶瓷电容器制备提供一种高性能粉体。 | ||
搜索关键词: | 一种 水热法 合成 晶界层 陶瓷 电容 器用 方法 | ||
【主权项】:
1.一种钛酸锶粉体,其特征在于,所述钛酸锶粉体为核‑壳结构粉体,其中,核‑壳结构粉体的表面为绝缘钛酸锶粉体,核‑壳结构粉体的核内为半导化掺铌的钛酸锶;所述绝缘钛酸锶粉体由表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶和八水合氢氧化锶加入到反应釜中,再加入80~100ml去离子水,封釜在180℃条件下水热反应6小时后,进行离心、清洗、烘干制备得到;所述钛酸锶粉体由如下方法制备得到:(1)球形偏钛酸的制备;(2)球形掺铌钛酸锶的制备;(3)半导化掺铌钛酸锶;(4)包裹偏钛酸:将上述步骤(3)所获得的半导化掺铌的钛酸锶加入去离子水中搅拌5分钟,再加入乙醇和PEG‑200,搅拌5~10分钟后滴加钛酸四丁酯,并持续搅拌24小时,得到表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶;(5)表面偏钛酸转换为钛酸锶:将述步骤(4)得的表面包裹偏钛酸的半导化钛酸锶和八水合氢氧化锶加入到反应釜中,再加入80~100ml去离子水,封釜在180℃条件下水热反应6小时;(6)将上述步骤(5)所制备的粉体进行离心、清洗、烘干,即可得到核壳结构的钛酸锶粉体。
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