[发明专利]光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件

摘要

公开光电子器件、以及包括其的图像传感器和电子器件。光电子器件包括彼此面对的第一电极和第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层、以及在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，其中所述缓冲层包括选自如下的氮化物：氮化硅(SiNx，0x1)、氧氮化硅(SiOyNz，0y0.5，0z1)、以及其组合。

主权项

光电子器件，其包括：彼此面对的第一电极和第二电极，在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，和在所述光电转换层和所述第二电极之间的缓冲层，所述缓冲层包括选自如下的氮化物：其中0<x<1的氮化硅SiNx、其中0<y<0.5且0<z<1的氧氮化硅SiOyNz、以及其组合。