[发明专利]一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料有效
| 申请号： | 201710028499.0 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106753366B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 宋志国;徐祖元;胡锐;张相周;邱建备;杨正文;尹兆益 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/74 | 分类号： | C09K11/74;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率，其化学式为Bi1‑xRexOMy，其中x=0.0025~0.1，y=1.2~4，Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种，M=Cl、Br、I中的一种；该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为，提高了其二维原子层的层间内电场，增强稀土离子的发光效率；本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低，不需要复杂设备，具有工业和市场应用推广前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 卤素 掺杂 氧化 半导体 纳米 发光 材料 | ||
【主权项】：
1.一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，其特征在于：化学式为Bi1‑xRexOMy，其中x= 0.0025~0.1，y=1.2~4，Re= Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er中的一种或者任意几种，M= Cl、Br、I中的一种。
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