[发明专利]晶体生长界面扰动的原位探测方法、控制方法及控制系统有效
| 申请号： | 201710025412.4 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106544723B | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 朱允中;王彪;马德才;林少鹏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C30B15/22 | 分类号： | C30B15/22 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510275 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，通过采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制方法，根据本发明获得的晶体生长界面的扰动状态调整晶体生长条件，以控制晶体生长界面扰动。本发明还涉及一种晶体生长界面扰动的控制系统，包括晶体生长界面扰动控制装置、生长信号采集单元和信号处理单元。通过本发明的方法可以实时反馈晶体生长界面状态，使现有手段难以探测到的微弱的界面扰动得以清晰展现，突破性地解决了提拉法晶体生长界面扰动检测的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体生长 界面 扰动 原位 探测 方法 控制 控制系统 | ||
【主权项】：
1.一种晶体生长界面扰动的原位探测方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：采集晶体生长过程中的晶体和熔体间的界面相电动势，获得实时变化的电信号数据；S2：根据所述电信号数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动状态；所述步骤S2通过以下步骤获得热滞时间：S21：实时记录晶体生长过程中的功率数据；S22：对所述功率数据进行拟合处理，获得拟合后的功率数据；S23：通过计算所述电信号数据和拟合后的功率数据的相位差，获得热滞时间；所述步骤S2通过以下步骤获得扰动周期：S24：从所述电信号数据中提取结晶电动势数据；S25：根据所述结晶电动势数据计算晶体生长速度数据；S26：由所述晶体生长速度数据的波动规律获得晶体生长界面的扰动周期；通过对所述步骤S26中晶体生长速度数据的波动规律的周期进行积分获得扰动幅度。
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