[发明专利]一种大尺寸单晶铜箔的制备方法有效
| 申请号： | 201710020397.4 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107904654B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐小志;张智宏;吴慕鸿;俞大鹏;王恩哥;刘开辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | C30B1/02 | 分类号： | C30B1/02;C30B29/02;C22F1/08 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏爱华 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大尺寸单晶铜箔的制备方法。所述方法为多晶铜箔作为原料，一端剪成尖端，利用特殊退火工艺制备出大尺寸单晶铜箔。本发明提出的方法，解决了单晶铜箔价格昂贵的问题，通过非常简单的方法，实现了大尺寸单晶铜箔的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 铜箔 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大尺寸单晶铜箔的制备方法，其特征在于，将多晶铜箔的一端形成为尖端，对多晶铜箔进行退火获得单晶铜箔；/n所述方法包括如下步骤：/n(一)、将所述多晶铜箔一端形成为尖端平置于耐高温衬底上，连接传动装置，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体，惰性气体流量为300～500sccm，然后开始升温，所述的惰性气体为N
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