[发明专利]集成离子感测装置和方法有效

专利信息
申请号: 201710019458.5 申请日: 2017-01-12
公开(公告)号: CN106959330B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: H·伯尼;W·A·拉尼;P·M·迈克古尼斯;T·G·奥德怀尔 申请(专利权)人: 亚德诺半导体集团
主分类号: G01N27/414 分类号: G01N27/414
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 陈新
地址: 百慕大群岛(*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供了集成的离子敏感探针。在一个示例中,离子敏感探针可以包括半导体衬底和附接到半导体衬底的第一无源电极。第一无源电极可以被配置为接触溶液并且提供作为溶液内的离子的浓度的函数的第一电压。在某些示例中,无源参考电极可以共同位于半导体衬底上。在一些示例中,处理电子器件可以集成在半导体衬底上。
搜索关键词: 集成 离子 装置 方法
【主权项】:
一种测量溶液中离子浓度的离子敏感探针,所述离子敏感探针包括:半导体衬底;和第一无源电极,其与所述半导体衬底集成并且被配置为接触所述溶液并且提供作为所述溶液内的离子的浓度的函数的第一电压。
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