[发明专利]一种表面改性Cu基薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201710018019.2 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN106876507A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 梁广兴;范平;郑壮豪;罗景庭 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/18;H01J37/32 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙)44268 | 代理人： | 王永文,刘文求 |
| 地址： | 518060 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种表面改性Cu基薄膜的制备方法，其中，包括步骤A、将原Cu基薄膜固定在等离子束轰击系统的轰击工位架上，控制所述轰击工位架匀速转动，待轰击；B、将等离子束轰击系统本底真空度抽至9.0×10‑2 Pa以下，通入Ar气流作为工作气体；本发明采用精确可控的等离子束轰击薄膜，代替传统的强酸冲洗刻蚀工艺，不仅能简化制备过程，而且能制备出绒面等多种表面形状可控的Cu基薄膜，本发明通过对Cu基薄膜表面结构进行改性优化，从而有效提高Cu基薄膜的光吸收性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 改性 cu 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种表面改性Cu基薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：A、将原Cu基薄膜固定在等离子束轰击系统的轰击工位架上，控制所述轰击工位架匀速转动，待轰击；B、将等离子束轰击系统本底真空度抽至9.0×10‑2 Pa以下，通入Ar气流作为工作气体；C、采用等离子体Ar+离子束对原Cu基薄膜进行轰击，通过控制所述等离子体Ar+离子束轰击参量，得到表面改性Cu基薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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