[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710009742.4 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN107026208B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 内山博幸;藤崎寿美子;森塚翼 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置提高半导体装置(薄膜晶体管)的特性。半导体装置构成如下：具有形成在基板(SUB)上的栅电极(GE)、在其上面隔着栅绝缘膜(GI)形成的第1金属氧化物半导体膜(MO1)、形成在其上面的第2金属氧化物半导体膜(MO2)、以及形成在其上面的源、漏电极(SD)。并且，使第1金属氧化物半导体膜(MO1)的端部与第2金属氧化物半导体膜(MO2)的端部相比后退。根据这样的构成，能够确保下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)与源、漏电极(SD)的距离。由此，能够防止源、漏电极(SD)与下层的第1金属氧化物半导体膜(MO1)的短路，能够提高晶体管特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其具有：形成在基板上的栅电极、在所述栅电极上隔着栅绝缘膜形成的由含有第1金属氧化物的半导体构成的第1半导体膜、形成在所述第1半导体膜上的由含有第2金属氧化物的半导体构成的第2半导体膜、以及形成在所述第2半导体膜上的源、漏电极，所述第1金属氧化物至少含有In元素和O元素，所述第2金属氧化物至少含有Zn元素和O元素，所述第1半导体膜的端部与所述第2半导体膜的端部相比后退。
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