[发明专利]一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法在审
| 申请号： | 201710009114.6 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN108277524A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 张立平;梁永生;冉瑞应;李博一;金雪 | 申请（专利权）人： | 银川隆基硅材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/04 | 分类号： | C30B15/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 钟欢 |
| 地址： | 750021 宁夏回族自治区银*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法，包括步骤：先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒，然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中，将单晶炉密封通入保护气体后，通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化，最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后，得到N型单晶硅棒。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法解决了现有的单晶硅棒由于在生长过程中电阻分布不合理导致其尾部电阻不良率较高的问题。本发明的一种改良N型单晶硅特性的掺杂方法在硅原料中添加纯铝颗粒，高温熔化并分布在硅溶液中，随单晶硅棒的生长根据分凝原理在单晶硅棒中分布，从而达到改善N型单晶硅棒尾部电阻率分布和抑制缺陷产生的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 硅原料 纯铝 单晶硅棒 掺杂 改良 单晶炉 加热器 熔化 电阻率分布 保护气体 电阻分布 高温熔化 缺陷产生 生长过程 石英坩埚 不良率 硅溶液 等径 电阻 放肩 分凝 停炉 引晶 收尾 装入 密封 生长 | ||
【主权项】：
1.一种改良N型单晶硅棒特性的掺杂方法，其特征在于，包括如下步骤：先按一定比例在硅原料中添加纯铝颗粒，然后将硅原料及纯铝颗粒装入单晶炉内的石英坩埚中，将单晶炉密封通入保护气体后，通过加热器将硅原料及纯铝颗粒熔化，最后经过引晶、放肩、转肩、等径、收尾、停炉工序后，得到N型单晶硅棒。
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