[发明专利]非易失性数据保持电路和数据保持系统有效
| 申请号： | 201710009077.9 | 申请日： | 2017-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106960682B | 公开（公告）日： | 2022-07-12 |
| 发明（设计）人： | 帝泰什·拉克西特;博尔纳·J·奥布拉多维奇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C11/18 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种非易失性数据保持电路和数据保持系统，所述非易失性数据保持电路被构造为存储外部锁存器的互补的易失性电荷状态，非易失性数据保持电路包括：耦合的巨自旋霍尔锁存器，被构造为响应于从外部锁存器接收电荷电流产生并存储与外部锁存器的互补的易失性电荷状态对应的非易失性自旋状态，并且被构造为响应于施加读取电压产生与互补的非易失性自旋状态对应的差分电荷电流信号；写入开关，结合到耦合的巨自旋霍尔锁存器，并且被构造为响应于睡眠信号选择性地使电荷电流能够从外部锁存器流动至耦合的巨自旋霍尔锁存器；读取开关，结合至耦合的巨自旋霍尔锁存器，并且选择性地使读取电压能够施加至耦合的巨自旋霍尔锁存器。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 数据 保持 电路 系统 | ||
【主权项】：
一种非易失性数据保持电路，所述非易失性数据保持电路被构造为存储外部锁存器的互补的易失性电荷状态，所述非易失性数据保持电路包括：耦合的巨自旋霍尔锁存器，被构造为响应于从外部锁存器接收电荷电流产生并存储与外部锁存器的互补的易失性电荷状态对应的互补的非易失性自旋状态，并且响应于施加的读取电压产生与互补的非易失性自旋状态对应的差分电荷电流信号；写入开关，结合到耦合的巨自旋霍尔锁存器，并且被构造为响应于睡眠信号选择性地使电荷电流能够从外部锁存器流动至耦合的巨自旋霍尔锁存器；以及读取开关，结合到耦合的巨自旋霍尔锁存器，并且选择性地使读取电压能够施加至耦合的巨自旋霍尔锁存器。
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