[发明专利]基于图形化碳纳米管阵列的复合型界面散热材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201710006558.4 申请日: 2017-01-05
公开(公告)号: CN106883828B 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 路秀真;张东升;刘建影 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C09K5/14 分类号: C09K5/14
代理公司: 31205 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 顾勇华<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种基于图形化碳纳米管阵列的界面散热材料的制备方法,包括如下步骤:a.在单晶硅上制备一层催化剂薄膜;b.将步骤a得到的催化剂薄膜进行图形化处理;c.在步骤b得到硅片上制备图形化的碳纳米管阵列;d.将碳纳米管阵列转移到热释放胶带上;e.将热释放胶带上的碳纳米管阵列进行致密;f.将框形模具粘在热释放胶带上,加入一定质量分数的银胶,固化后去除模具和热释放胶带。本发明方法能够较大地提高碳纳米管阵列的机械强度,较大程度地降低碳纳米管之间的空隙率,提高了碳纳米管阵列的导热效率。此外本发明方法在碳纳米管阵列的转移工艺中采用了热释放胶带,转移效果好,转移得到的碳纳米管阵列的完整性较好。
搜索关键词: 基于 图形 纳米 阵列 复合型 界面 散热 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于图形化碳纳米管阵列的复合型界面散热材料的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:/na. 采用硅片作为衬底,在硅片上制备一层催化剂薄膜;/nb. 将在所述步骤a中得到的催化剂薄膜进行图形化处理,在硅片上得到具有催化剂短柱状阵列的生长衬底;/nc. 在所述步骤b中得到的生长衬底上,制备图形化的碳纳米管阵列;/nd. 将所述步骤c中制备的碳纳米管阵列转移到热释放胶带上,并使生长衬底与碳纳米管阵列分离;/ne. 将所述步骤d中制备的热释放胶带上的碳纳米管阵列进行致密化处理;/nf. 将框形模具粘在热释放胶带上,使经过所述步骤e致密化处理后的碳纳米管阵列位于框形模具范围内,在模具范围内的碳纳米管阵列中空隙内加入设定质量分数的银胶,在填塞银胶的碳纳米管阵列复合材料层采用设定的固化温度进行固化后,再去除框形模具和热释放胶带,最终得到基于图形化碳纳米管阵列的复合型界面散热材料。/n
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