[发明专利]一种聚酰亚胺薄膜的制备方法及由该方法制备得到的聚酰亚胺薄膜

摘要

本发明公开了一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，包括将表面经偶联剂改性的无机填料分散液、二酐和二胺加入到极性有机溶剂中混合，二酐和二胺缩聚得到聚酰胺酸树脂；将聚酰胺酸树脂先后经脱泡、流延、亚胺化得到所述聚酰亚胺薄膜。所述偶联剂包括偶联剂A和偶联剂B两种，所述偶联剂A选自含有氨基、醛基、环氧基、异氰酸根、酸酐基、巯基等任意一种反应性基团的硅烷偶联剂或者钛酸酯类偶联剂；偶联剂B选自含有长链烷基的硅烷偶联剂或者钛酸酯类偶联剂，所述偶联剂A和所述偶联剂B的摩尔比为2：8～8:2。采用本发明所述方法制备得到的聚酰亚胺薄膜拉伸强度为165～180MPa，断裂伸长率为48％～60％，工频电气强度为210MV/m～230MV/m，耐电晕寿命为60h～80h。

主权项

1.一种聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将无机填料、偶联剂在极性有机溶剂中混合，在30℃～110℃温度条件下加热2～24小时，得到表面经偶联剂改性的无机填料分散液；(2)将所述无机填料分散液、二酐和二胺加入到极性有机溶剂中混合，在10℃～80℃温度条件下，待二酐和二胺溶解后，继续反应2h～6h，二酐和二胺缩聚得到聚酰胺酸树脂；(3)将所述步骤(2)得到的聚酰胺酸树脂先后经脱泡、流延、亚胺化得到所述聚酰亚胺薄膜；所述偶联剂包括偶联剂A和偶联剂B两种，所述偶联剂A选自含有氨基、醛基、环氧基、异氰酸根、酸酐基、巯基中任意一种反应性基团的硅烷偶联剂或者钛酸酯类偶联剂；偶联剂B选自含有长链烷基的硅烷偶联剂或者钛酸酯类偶联剂，所述偶联剂A和所述偶联剂B的摩尔比为4：6～6：4；所述偶联剂A选自γ‑氨丙基三乙氧基硅烷、γ‑氨丙基三甲氧基硅烷、γ‑(β‑氨乙基)氨丙基三甲氧基硅烷、γ‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ‑(2,3‑环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、β‑(3，4‑环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ‑巯丙基三甲氧基硅烷、γ‑巯丙基三乙氧基硅烷、异氰酸3‑(三乙氧基硅烷)丙酯、三乙氧基硅基丁醛、3‑(三乙氧基硅基)丙基琥珀酸酐、4‑氨基苯磺酰基二(十二烷基苯磺酰基)钛酸异丙酯中的一种；所述偶联剂B中长链烷基的碳链长度为8～25个碳原子。