[发明专利]多晶硅晶界蚀刻试验治具有效
| 申请号： | 201710005299.3 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106526921B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 吴雪君 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，该试验治具形成有数个具有镂空区的样品容置空间，试验时，先将数个试验样品放置于样品容置空间中，再将放有数个试验样品的试验治具整体浸没在试验溶液中，能够同时完成数个试验样品的试验，能够提升试验效率，节约试验时间，并可根据试验样品的最小尺寸来设计样品容置空间的大小，无需将试验样品的形状限定为长条形，试验后的样品可直接用于后续的SEM测试，无需再次裂片，从而减少后续SEM测试的测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 硅晶界 蚀刻 试验 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅晶界蚀刻试验治具，其特征在于，包括：可拆卸扣合的下盖板(1)和上盖板(2)；所述下盖板(1)靠近所述上盖板(2)的一侧设有数个下卡槽(11)，所述上盖板(2)靠近所述下盖板(1)的一侧设有与数个下卡槽(11)一一对应的数个上卡槽(21)，所述数个下卡槽(11)和数个上卡槽(21)配合形成数个用于放置试验样品的样品容置空间(3)；每一个上卡槽(21)和下卡槽(11)的中央均设有一镂空区(4)，所述镂空区(4)的尺寸小于待试验的试验样品的尺寸；试验时，先将数个试验样品分别放置于数个样品容置空间(3)中，再将试验治具整体浸没到试验溶液中同时对数个试验样品进行试验；还包括：设于每一个上卡槽(21)的边缘的数个上气路槽(22)、以及设于每一个下卡槽(11)的边缘的与所述数个上气路槽(22)一一对应的数个下气路槽(12)；所述数个上气路槽(22)与数个下气路槽(12)分别对应扣合形成数个从试验治具的侧面延伸至样品容置空间(3)内的气路孔(5)；试验完成后，通过所述气路孔(5)向样品容置空间(3)内的样品吹气，以吹干试验样品。
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