[发明专利]一种超低阻硅靶材的生产方法有效
| 申请号： | 201710004519.0 | 申请日： | 2017-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN106676486B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张磊;顾正;张晓峰;郭校亮;陈良杰 | 申请（专利权）人： | 青岛蓝光晶科新材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C30B28/06;C30B11/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 梅洪玉 |
| 地址： | 262200 山东省青岛市即墨市蓝色*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及硅靶材生产技术领域，特别涉及一种超低阻硅靶材的生产方法。该方法采用经过酸浸泡处理过的高硼含量母合金掺入，经过高效铸锭工艺进行硅靶材生产。本发明可使硅靶材的电阻率小于0.01Ω·cm，最低可达到0.005Ω·cm，其尺寸范围可以达到500mm×500mm，纯度大于5.5N，致密度大于99％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超低阻硅靶材 生产 方法 | ||
【主权项】：
一种超低阻硅靶材的生产方法，其特征是：将经过酸浸泡处理过的高硼含量母合金和硅料一起加入石英坩埚中，经过铸锭工艺后得到电阻率小于0.01Ω·cm的硅锭。
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