[发明专利]3D NAND字线中用于增强的氟保护和应力减少的坚固的成核层

摘要

可以采用含硅成核层来提供自对齐模板，以用于在三维存储器器件的形成期间在背侧凹陷内选择性地沉积钨。含硅成核层可以保持为硅层、转换成硅化钨层、或用钨成核层来代替。在随后的钨沉积工艺中可以仅在含硅成核层或由其衍生出的层的表面上进行钨沉积。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上形成包括绝缘层和牺牲材料层的交替层的堆叠；穿过堆叠形成多个存储器开口；在所述多个存储器开口中形成存储器堆叠结构，所述存储器堆叠结构中的每一个从外向内包括存储器材料层、隧穿电介质层、和半导体沟道；穿过交替层的堆叠形成背侧通孔沟槽；通过采用穿过背侧通孔沟槽引入的蚀刻剂来移除对绝缘层有选择性的牺牲材料层来形成背侧凹陷；在背侧凹陷中沉积含硅成核层；以及在所述含硅成核层的沉积之后在背侧凹陷中形成至少一个钨层；其中存储器堆叠结构的控制栅电极形成在背侧凹陷的级处；并且其中，控制栅电极中的每一个包括至少一个钨层的部分。