[发明专利]小热质量的加压腔室有效
| 申请号： | 201680054443.6 | 申请日： | 2016-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN108140542B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 罗曼·古科;陈翰文;史蒂文·韦尔韦贝克;简·德尔马斯 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/677 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文描述的实施方式一般涉及并入小热质量的处理腔室，所述腔室能够实现针对超临界干燥工艺的有效温度循环。所述腔室一般包含：主体、衬垫和隔离元件，所述隔离元件能够实现使衬垫展现出相对于主体的小热质量。所述腔室还构造有用于在腔室的处理容积内产生和/或维持超临界流体的合适的设备。 | ||
| 搜索关键词： | 质量 加压 | ||
【主权项】：
一种基板处理设备，包括：腔室主体，所述腔室主体界定用于在提高的压力下进行操作的处理容积，其中所述腔室主体包括：衬垫，所述衬垫设置于所述腔室主体内并相邻于所述处理容积；和隔离元件，所述隔离元件设置于所述腔室主体内并相邻于所述衬垫，其中所述隔离元件具有与所述腔室主体和所述衬垫的热膨胀系数相似的热膨胀系数；基板支撑件，所述基板支撑件设置于所述处理容积内；和挡板，所述挡板设置于所述处理容积内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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