[实用新型]低阻抗桥接金属化薄膜电容器有效

专利信息
申请号: 201621378633.7 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN206312758U 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 陶文涛 申请(专利权)人: 东莞市纬迪实业有限公司
主分类号: H01G4/005 分类号: H01G4/005;H01G4/228;H01G4/232;H01G4/32;H01G4/33
代理公司: 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)44288 代理人: 罗伟添,何新华
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了低阻抗桥接金属化薄膜电容器,其特征在于包括电容芯子,电容芯子由芯子叠材卷绕而成,芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜;双面桥接金属化膜包括基层,基层上设有第一极金属层和第二极金属层,第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体,第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体;第一极桥体和第二极主体位于基层的一面,且第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔;第一极主体和第二极桥体位于基层的另一面,且第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。第一极金属层和第二极金属层在双面桥接金属化膜的侧边均具有两个导电面,减小了电容芯子的两个端面与端子的接触电阻,减小了桥接电阻产生的损耗值,充放电特性得到提升。
搜索关键词: 阻抗 金属化 薄膜 电容器
【主权项】:
低阻抗桥接金属化薄膜电容器,其特征在于:包括本体和端子,所述本体包括电容芯子和壳体,所述电容芯子的一个端面与一端子电性连接,另一端面与另一端子电性连接;所述电容芯子由芯子叠材卷绕而成,所述芯子叠材包括双面桥接金属化膜和光膜,所述双面桥接金属化膜和光膜数量相等,所述双面桥接金属化膜和光膜相邻设置;所述双面桥接金属化膜包括基层,所述基层上设有第一极金属层和第二极金属层,所述第一极金属层包括第一极主体和第一极桥体,所述第二极金属层包括第二极主体和第二极桥体;所述第一极桥体和第二极桥体的宽度均为0.5‑5毫米;所述第一极桥体和第二极主体位于所述基层的一面,且所述第一极桥体和第二极主体之间设有第一间隔;所述第一极主体和第二极桥体位于所述基层的另一面,且所述第一极主体和第二极桥体之间设有第二间隔。
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