[实用新型]一种SOD323HE高密度引线框架有效

专利信息
申请号: 201621018669.4 申请日: 2016-08-31
公开(公告)号: CN205959979U 公开(公告)日: 2017-02-15
发明(设计)人: 罗天秀;樊增勇;张明聪;周杰;吴子斌;许兵;任伟;李宁 申请(专利权)人: 成都先进功率半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 四川力久律师事务所51221 代理人: 王芸,熊晓果
地址: 611731 *** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型涉及一种半导体制造技术,具体涉及一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。该框架将2列芯片安装单元为一组进行布置,且同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,节省框架的安装空间,进而提高材料的利用率。
搜索关键词: 一种 sod323he 高密度 引线 框架
【主权项】:
一种SOD323HE 高密度引线框架,包括用于承装芯片的矩形的框架,所述框架上设有多个芯片安装单元,其特征在于,在框架上布置有36排、42列芯片安装单元,所述芯片安装单元2列为一组布置,同一组内的2列芯片安装单元共用一个框架安装区域,所述芯片安装单元与SOD323HE的封装结构相适应。
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