[实用新型]一种基于硅硅键合的高精度压力传感器有效
| 申请号： | 201620948987.4 | 申请日： | 2016-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN205981503U | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 李颖;张治国;郑东明;梁峭;祝永峰 | 申请（专利权）人： | 沈阳仪表科学研究院有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 沈阳科威专利代理有限责任公司21101 | 代理人： | 杨滨 |
| 地址： | 110043 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种基于硅硅键合的高精度压力传感器，技术要点是敏感硅片层结构凹形敏感硅片层的上表面设置有隔离层，隔离层上表面设置有焊盘、金属引线、屏蔽层、衬底焊盘，隔离层下表面设置有N+隔离区、P+连结区和压敏电阻，凹形敏感硅片层的底部设置有截面为倒凹字形的硅杯，该硅杯区域为压力膜片；敏感硅片层的硅杯杯口与衬底硅片层键合在一起，衬底硅片层的中心位置制备有导压通孔。通过硅硅键合实现气密性连接，形成“硅‑硅”同质材料结构的压力密封腔，避免了常规压力传感器“硅‑玻璃”异质材料结构的压力密封腔由于两种不同材料特性的差异对传感器性能带来的各类影响，有效地减小静压误差，降低传感器的温漂，提高传感器的综合精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 硅硅键合 高精度 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种基于硅硅键合的高精度压力传感器，它包括有敏感硅片层及衬底硅片层，其特征是：敏感硅片层结构如下：凹形敏感硅片层的上表面设置有隔离层，隔离层上表面设置有焊盘、金属引线、屏蔽层、衬底焊盘，隔离层下表面设置有N+隔离区、P+连结区和压敏电阻，屏蔽层与N+隔离区通过引线孔连通，焊盘与金属引线连结在一起，金属引线与P+连结区通过引线孔连通，P+连结区之间设置有压敏电阻，凹形敏感硅片层的底部设置有截面为倒凹字形的硅杯，该硅杯区域为压力膜片；敏感硅片层的硅杯杯口与衬底硅片层键合在一起，衬底硅片层的中心位置制备有导压通孔。
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