[实用新型]一种GaN基异质结绿光激光器件有效
| 申请号： | 201620861190.0 | 申请日： | 2016-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN205901069U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王辉;王冰;赵洋;李新忠;王静鸽;李贺贺 | 申请（专利权）人： | 河南科技大学 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 洛阳公信知识产权事务所(普通合伙)41120 | 代理人： | 刘兴华 |
| 地址： | 471000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种GaN基异质结绿光激光器件，包括蓝宝石衬底、蓝宝石衬底上外延生长的n‑GaN电子注入层、n‑GaN电子注入层上外延生长的InGaN/GaN量子阱层、InGaN/GaN量子阱层上的p‑NiO外延层、设置在p‑NiO外延层上的正电极和设置在n‑GaN电子注入层上的负电极；本实用新型采用p‑NiO代替p‑GaN作为空穴注入层和光散射层，制备成p‑NiO/(InGaN/GaN)MQW/n‑GaN异质结绿光激光器件，可以克服p型GaN外延层载流子浓度偏低，器件串联电阻大，工作电压高，器件输出功率低等缺点；同时NiO与GaN有相似的晶格常数及禁带宽度，采用p‑NiO作为p型材料与GaN基材料相匹配可以降低晶格失配，从而提高晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 基异质结绿光 激光 器件 | ||
【主权项】：
一种GaN基异质结绿光激光器件，其特征在于：包括蓝宝石衬底（1）、蓝宝石衬底（1）上外延生长的n‑GaN电子注入层（2）、n‑GaN电子注入层（2）上外延生长的InGaN/GaN量子阱层（3）、InGaN/GaN量子阱层（3）上的p‑NiO外延层（4）、设置在p‑NiO外延层（4）上的正电极（5）和设置在n‑GaN电子注入层（2）上的负电极（6）。
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