[实用新型]场效应晶体管三相桥模块有效

专利信息
申请号: 201620823062.7 申请日: 2016-08-02
公开(公告)号: CN205900539U 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 董双福;白添淇;刘继红;闫俊华;李宫怀;吴红;郭志勇 申请(专利权)人: 阜新市天琪电子有限责任公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/373
代理公司: 阜新市和达专利事务所21206 代理人: 邢志宏,赵景浦
地址: 123000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型属于电力电子元器件,特别涉及一种场效应晶体管三相桥模块,金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极c6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接,场效应晶体管三相桥模块结构简单,体积小,散热好,耐三防,模块封装 氮气保护,有效提高产品的可靠性,该模块使用寿命可以大大延长。
搜索关键词: 场效应 晶体管 三相 模块
【主权项】:
一种场效应晶体管三相桥模块,包括场效应晶体管芯片(3)、硅凝胶(7)、氮化铝陶瓷基片(2)、主电极(4)、控制电极(6),其特征在于金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极(6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阜新市天琪电子有限责任公司,未经阜新市天琪电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620823062.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top