[实用新型]场效应晶体管三相桥模块有效
申请号: | 201620823062.7 | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN205900539U | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 董双福;白添淇;刘继红;闫俊华;李宫怀;吴红;郭志勇 | 申请(专利权)人: | 阜新市天琪电子有限责任公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/373 |
代理公司: | 阜新市和达专利事务所21206 | 代理人: | 邢志宏,赵景浦 |
地址: | 123000 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型属于电力电子元器件,特别涉及一种场效应晶体管三相桥模块,金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极c6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接,场效应晶体管三相桥模块结构简单,体积小,散热好,耐三防,模块封装 氮气保护,有效提高产品的可靠性,该模块使用寿命可以大大延长。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 三相 模块 | ||
【主权项】:
一种场效应晶体管三相桥模块,包括场效应晶体管芯片(3)、硅凝胶(7)、氮化铝陶瓷基片(2)、主电极(4)、控制电极(6),其特征在于金属陶瓷外壳(1)内腔底部真空焊接装有氮化铝陶瓷基片(2),氮化铝陶瓷基片(2)上面真空焊接装有多个场效应晶体管芯片(3),场效应晶体管芯片(3)与氮化铝陶瓷基片(2)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与控制电极(6)之间、氮化铝陶瓷基片(2)与主电极(4)之间均用铝丝(5)连接,主电极(4)表面镀有镀金保护层(10),金属陶瓷外壳(1)与主电极(4)之间装有陶瓷绝缘环(9),金属陶瓷外壳(1)内腔用硅凝胶(7)灌封,金属陶瓷外壳(1)上端面与壳盖(8)之间焊接连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阜新市天琪电子有限责任公司,未经阜新市天琪电子有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620823062.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可靠性测试结构
- 下一篇:一种双色多芯大功率LED光源
- 同类专利
- 专利分类