[实用新型]ICP增强多靶磁控溅射装置有效
| 申请号： | 201620802147.7 | 申请日： | 2016-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN205803587U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 杨佳奇;胡一波;金成刚;吴雪梅;诸葛兰剑 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种ICP增强多靶磁控溅射装置，包括真空室、设于真空室顶部的三个溅射靶、设于真空室内的ICP线圈和基片台以及与真空室相连通的泵机组，三个溅射靶的直径均为60mm，三个溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个溅射靶均聚焦于基片台的中心，三个溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，ICP线圈设于溅射靶与基片台之间，ICP线圈连接有第四射频电源，基片台连接有直流稳压电源。本实用新型拥有三个溅射靶，三个溅射靶靶位中心聚焦于基片台中心，实现了共聚焦磁控溅射，可获得均匀、较大面积的薄膜，制备出的薄膜致密、纯度高。 | ||
| 搜索关键词： | icp 增强 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
一种ICP增强多靶磁控溅射装置，其特征在于：包括真空室、设于所述真空室顶部的三个溅射靶、设于所述真空室内的ICP线圈和基片台以及与所述真空室相连通的泵机组，三个所述溅射靶的直径均为60mm，三个所述溅射靶的轴线与水平面之间的夹角均为20°‑50°，三个所述溅射靶沿周向均匀间隔分布，三个所述溅射靶均聚焦于所述基片台的中心，三个所述溅射靶分别与第一射频电源、第二射频电源、第三射频电源相连接，所述ICP线圈设于所述溅射靶与所述基片台之间，所述ICP线圈连接有第四射频电源，所述基片台连接有直流稳压电源。
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