[实用新型]一种异质结太阳能电池及其模组有效
| 申请号： | 201620801907.2 | 申请日： | 2016-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN206098402U | 公开（公告）日： | 2017-04-12 |
| 发明（设计）人： | 杨与胜;王树林;张超华;庄辉虎 | 申请（专利权）人： | 福建金石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/048 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种异质结太阳能电池及其模组，包括n‑型单晶硅片，设在n‑型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极；设在n‑型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层，设在第二透明导电薄膜层上的复合金属薄膜层，设在复合金属薄膜层上的金属主栅背电极。本实用新型大幅降低电池生产成本，提升电池转换效率，采用本实用新型太阳能电池制作的模组，可以大幅提升模组的长期可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 异质结 太阳能电池 及其 模组 | ||
【主权项】：
一种异质结太阳能电池，其特征在于：包括n‑型单晶硅片，设在n‑型单晶硅片正面的第一本征非晶硅薄膜层，设在第一本征非晶硅薄膜层上的第一掺杂非晶硅薄膜层，设在第一掺杂非晶硅薄膜层上的第一透明导电薄膜层，设在第一透明导电薄膜层上的金属栅线正电极；设在n‑型单晶硅片背面的第二本征非晶硅薄膜层，设在第二本征非晶硅薄膜层上的第二掺杂非晶硅薄膜层，设在第二掺杂非晶硅薄膜层上的第二透明导电薄膜层，设在第二透明导电薄膜层上的复合金属薄膜层，设在复合金属薄膜层上的金属主栅背电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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