[实用新型]一种半透明的薄膜太阳能电池结构有效
申请号: | 201620796548.6 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN205810834U | 公开(公告)日: | 2016-12-14 |
发明(设计)人: | 孟奕峰;梁桃华;杨清学;周江;倪德明;肖锐 | 申请(专利权)人: | 成都职业技术学院 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/073 |
代理公司: | 成都众恒智合专利代理事务所(普通合伙)51239 | 代理人: | 刘华平 |
地址: | 610000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开一种半透明的薄膜太阳能电池结构,包括玻璃基板和叠加在玻璃基板上的TCO导电玻璃层,叠加在TCO导电玻璃层上的电阻缓冲层,采用水浴法涂覆在电阻缓冲层上、且为N型结构的CdS薄膜,采用电镀法电镀在该CdS薄膜上、且为P型结构的CdTe薄膜,采用RF溅射法沉积在CdTe薄膜上的ZnTe层,采用磁控溅射法沉积在ZnTe层上的Cu层,采用磁控溅射法沉积在Cu层上的Au层,以及同样采用磁控溅射法沉积在Au层上的铜金合金层。本实用新型设计合理、成本低廉,其有效提高了光的透过率,使得电池的光电转换效率和稳定性得到大幅提升和增强,并降低了制造的成本,因此,本实用新型具有较高的实用价值和推广价值。 | ||
搜索关键词: | 一种 半透明 薄膜 太阳能电池 结构 | ||
【主权项】:
一种半透明的薄膜太阳能电池结构,包括玻璃基板(1)和叠加在该玻璃基板(1)上的TCO导电玻璃层(2),其特征在于,还包括叠加在TCO导电玻璃层(2)上的电阻缓冲层(3),采用水浴法涂覆在该电阻缓冲层(3)上、且为N型结构的CdS薄膜(4),采用电镀法电镀在该CdS薄膜(4)上、且为P型结构的CdTe薄膜(5),采用RF溅射法沉积在该CdTe薄膜(5)上的ZnTe层(6),采用磁控溅射法沉积在该ZnTe层(6)上的Cu层(7),采用磁控溅射法沉积在该Cu层(7)上的Au层(8),以及同样采用磁控溅射法沉积在该Au层(8)上的铜金合金层(9)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的