[实用新型]可编程电池保护系统和电池保护集成电路有效

专利信息
申请号: 201620792973.8 申请日: 2016-07-26
公开(公告)号: CN205986119U 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 斋藤博;雨宫圭司;仁木雅;林安昭 申请(专利权)人: 半导体元件工业有限责任公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 金晓
地址: 美国亚*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及可编程电池保护系统和电池保护集成电路。要解决的一个技术问题是提供改进的可编程电池保护系统和电池保护集成电路。可编程电池保护系统包括电池;仅两个场效应晶体管FET,其中FET中的至少一个被构造来在电池的充电期间使用,即,充电FET,并且FET中的至少一个被构造来在所述电池的放电期间使用,即,放电FET;与充电FET并与放电FET耦接的电池保护集成电路IC,其中电池保护IC包括熔断器的阵列;多个锁存器;多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;串联耦接的多个电阻器,所述多个电阻器中的每一个与所述多个MOSFET中的每一个并联耦接;比较器。通过本实用新型,可以获得改进的可编程电池保护系统和电池保护集成电路。
搜索关键词: 可编程 电池 保护 系统 集成电路
【主权项】:
一种可编程电池保护系统,其特征在于,所述可编程电池保护系统包括:电池;与所述电池耦接的仅两个场效应晶体管FET,其中所述FET中的至少一个被构造来在所述电池的充电期间使用,即,为充电FET,并且所述FET中的至少一个被构造来在所述电池的放电期间使用,即,为放电FET;与所述充电FET并与所述放电FET耦接的电池保护集成电路IC,其中电池保护IC包括:熔断器的阵列;与所述熔断器的阵列耦接的多个锁存器;与所述多个锁存器耦接的多个金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;串联耦接的多个电阻器,所述多个电阻器中的每一个与所述多个MOSFET中的每一个并联耦接;以及与所述多个电阻器并与电池控制电路耦接的比较器;其中通过来自所述电池控制电路的熔断器修整信号设置所述熔断器的阵列中的任何一个断开或者闭合;其中所述熔断器修整信号是所述充电FET和所述放电FET两者、所述充电FET、所述放电FET中的一个的导通电阻的函数;以及其中由所述多个电阻器在操作期间供应给所述比较器的电压是放电过电流阈值电压、充电过电流阈值电压和短路电流阈值电压中的一个。
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