[实用新型]一种发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201620792837.9 | 申请日： | 2016-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN205900576U | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 高百卉;林晓文 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种发光二极管芯片，属于半导体技术领域。所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。本实用新型通过AB胶和硅化物薄膜实现非吸光衬底与LED外延片的键合，采用非吸光衬底替代GaAs衬底，避免由于衬底吸光造成LED芯片亮度较低，提高了LED芯片的发光亮度，可以满足用户需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括依次层叠的N型电流扩展层、N型限制层、多量子阱层、P型限制层、P型电流扩展层，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括非吸光衬底、AB胶、以及硅化物薄膜，所述硅化物薄膜层叠在所述P型电流扩展层上，所述AB胶涂覆在所述非吸光衬底上，所述非吸光衬底和所述P型电流扩展层之间通过所述AB胶和所述硅化物薄膜键合。
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