[实用新型]一种高压覆晶LED芯片

摘要

本实用新型提供了一种高压覆晶LED芯片，包括衬底，其中：所述的衬底上端面依次设有缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层和增透膜，衬底底部依次设有绝缘膜导热焊盘和热扩散件，不同的LED芯片单元通过隔离槽进行隔离，隔离槽内填充有绝缘荧光层，N型层和P型层上分别设有N型电极和P型电极，电极之间通过连接桥相连。本实用新型提供了一种高压覆晶LED芯片，能够改善高压LED芯片散热问题，并且能有效降低由折射率突变引起的反射损耗和光线的全内反射，从而提高出光效率。

主权项

一种高压覆晶LED芯片，包括衬底(4)，其特征在于：衬底(4)端面依次设有缓冲层(5)、N型层(6)、量子阱层(7)、P型层(8)、ITO层(9)和增透膜(10)，衬底(4)底部依次设有绝缘膜(3)、导热焊盘(2)和热扩散件(1)，不同的LED芯片单元通过隔离槽(13)进行隔离，隔离槽(13)内填充有绝缘荧光层(11)，N型层(6)和P型层(8)上分别设有N型电极(14)和P型电极(15)，电极之间通过连接桥(12)相连。