[实用新型]一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置有效
申请号: | 201620736815.0 | 申请日: | 2016-07-13 |
公开(公告)号: | CN205863141U | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
发明(设计)人: | 申请(专利权)人: | ||
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 张海英,林波 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置,包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置,滴水装置和监测装置均连接控制装置,监测装置连接图像处理装置,图像处理装置连接控制装置;测试时,硅片从刻蚀下料处流至滴水装置的正下方,控制装置控制滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴,当滴水后的硅片流至监测装置的正下方时,控制装置控制监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至图像处理装置,图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析,并将分析结果发送至控制装置,由控制装置输出对应的控制信号;其能够实现在线测试,重复性、稳定性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 刻蚀 硅片 亲水性 测试 装置 | ||
【主权项】:
一种刻蚀后硅片的亲水性测试装置,其特征在于,该亲水性测试装置设置于硅片生产线的刻蚀下料处,其包括沿着硅片生产线的输送方向依次间隔设置的滴水装置和监测装置,所述滴水装置和所述监测装置均连接控制装置,所述监测装置连接图像处理装置,所述图像处理装置连接所述控制装置;测试时,硅片从刻蚀下料处流至所述滴水装置的正下方,所述控制装置控制所述滴水装置滴水至硅片表面并形成水滴,当滴水后的硅片流至所述监测装置的正下方时,所述控制装置控制所述监测装置获取硅片表面图像、并将获取的表面图像发送至所述图像处理装置,所述图像处理装置对硅片表面的水滴扩散后的直径与预设值进行对比分析,并将分析结果发送至所述控制装置,由所述控制装置输出对应的控制信号。
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