[实用新型]一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构有效
| 申请号： | 201620724898.1 | 申请日： | 2016-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN205942163U | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 华平壤;姜城 | 申请（专利权）人： | 派尼尔科技（天津）有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/225 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300000 天津市滨海新区开发*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构，包括硅衬底、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、二氧化硅缓冲层、二氧化硅上包层、氧化钽脊形波导和行波电极。本实用新型旨在克服现有技术中存在的不足，提供了一种基于硅基铌酸锂薄膜氧化钽脊形波导的马赫曾德光调制器，在实现低功耗驱动的同时降低了调制器的尺寸，提高了器件的稳定性，具有制作工艺简便，器件尺寸小，弯曲半径小，稳定性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 脊形波导 马赫 曾德光 调制器 晶片 结构 | ||
【主权项】：
一种采用脊形波导的马赫曾德光调制器晶片结构，其特征在于：包括硅衬底、二氧化硅下包层、铌酸锂薄膜、二氧化硅缓冲层、二氧化硅上包层、氧化钽脊形波导和行波电极，所述二氧化硅下包层安装在所述硅衬底上，所述铌酸锂薄膜安装在所述二氧化硅下包层上，所述二氧化硅缓冲层处于所述铌酸锂薄膜的上表面，所述氧化钽脊形波导安装在所述二氧化硅缓冲层的上部中央，所述行波电极共两个且其以所述氧化钽脊形波导为对称中心安装在所述二氧化硅缓冲层上，所述二氧化硅上包层包覆在所述氧化钽脊形波导和所述行波电极上且其与所述二氧化硅缓冲层相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于派尼尔科技（天津）有限公司，未经派尼尔科技（天津）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620724898.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
