[实用新型]一种新型硅外延片构造的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201620673493.X | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN205752186U | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王作义;陈小铎;崔永明;马洪文;白磊 | 申请（专利权）人： | 四川广瑞半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L23/60;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 郭受刚 |
| 地址： | 629000 四川省遂宁市国开*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，包括背面金属电极、衬底、外延层、氧化层、正面金属电极、势垒金属层、保护环及过渡外延层，其中，背面金属电极、衬底、过渡外延层及外延层四者由下至上顺次层叠设置。外延层上端面中央部位向下凹陷形成中心槽，保护环水平设置于处延层内且环绕中心槽设置，保护环上端面与外延层上端面平齐。氧化层覆盖于保护环上端面靠近保护环外侧的区域、以及外延层上端面位于保护环外侧的区域，势垒金属层覆盖于外延层和保护环两者上端面相对覆盖氧化层区域外的区域，正面金属电极覆盖于氧化层和势垒金属层两者的上端面。本实用新型具有良好的防静电性能和抗瞬态干扰性能，进而便于推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 外延 构造 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
一种新型硅外延片构造的肖特基二极管，其特征在于，包括背面金属电极（1）、衬底（2）、外延层（3）、氧化层（4）、正面金属电极（5）、势垒金属层（6）、保护环（7）及过渡外延层（8），所述背面金属电极（1）、衬底（2）、过渡外延层（8）及外延层（3）四者由下至上顺次层叠设置，所述过渡外延层（8）的掺杂浓度大于衬底（2）的掺杂浓度且小于外延层（3）的掺杂浓度；所述外延层（3）上端面中央部位向下凹陷形成开口向上的中心槽，所述保护环（7）水平设置于处延层（3）内且环绕中心槽设置，保护环（7）上端面与外延层（3）上端面平齐，且其底部的水平高度低于中心槽底部的水平高度；所述氧化层（4）覆盖于保护环（7）上端面靠近保护环（7）外侧的区域、以及外延层（3）上端面位于保护环（7）外侧的区域，所述势垒金属层（6）覆盖于外延层（3）和保护环（7）两者上端面相对覆盖氧化层（4）区域外的区域，所述正面金属电极（5）覆盖于氧化层（4）和势垒金属层（6）两者的上端面。
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