[实用新型]发光二极管封装结构有效

专利信息
申请号: 201620652932.9 申请日: 2016-06-23
公开(公告)号: CN205900582U 公开(公告)日: 2017-01-18
发明(设计)人: 蔡尚勳;沈建佑 申请(专利权)人: 东莞艾笛森光电有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60
代理公司: 广州高炬知识产权代理有限公司44376 代理人: 董博
地址: 523000 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开一种发光二极管封装结构,包含一凹槽,由一底部与至少一边墙所形成;以及一发光元件,设置于该底部上,该底部相对的两侧位置为一非对称结构;该至少一边墙的数量为两个,包含一第一边墙及一第二边墙,该发光元件迭设于一内表面,该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧,并凸出于该底部的该内表面,该第一边墙具有一第一反射面,该第二边墙具有一第二反射面,该第二反射面非对称于该第一反射面。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,其特征在于,包含:一凹槽,由一底部与至少一边墙所形成;以及一发光元件,设置于该底部上,该底部相对的两侧位置为一非对称结构;该至少一边墙的数量为两个,包含一第一边墙及一第二边墙,该发光元件迭设于一内表面,该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧,并凸出于该底部的该内表面,该第一边墙具有一第一反射面,该第二边墙具有一第二反射面,该第二反射面非对称于该第一反射面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东莞艾笛森光电有限公司,未经东莞艾笛森光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201620652932.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top