[实用新型]发光二极管封装结构有效
申请号: | 201620652932.9 | 申请日: | 2016-06-23 |
公开(公告)号: | CN205900582U | 公开(公告)日: | 2017-01-18 |
发明(设计)人: | 蔡尚勳;沈建佑 | 申请(专利权)人: | 东莞艾笛森光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54;H01L33/60 |
代理公司: | 广州高炬知识产权代理有限公司44376 | 代理人: | 董博 |
地址: | 523000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开一种发光二极管封装结构,包含一凹槽,由一底部与至少一边墙所形成;以及一发光元件,设置于该底部上,该底部相对的两侧位置为一非对称结构;该至少一边墙的数量为两个,包含一第一边墙及一第二边墙,该发光元件迭设于一内表面,该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧,并凸出于该底部的该内表面,该第一边墙具有一第一反射面,该第二边墙具有一第二反射面,该第二反射面非对称于该第一反射面。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 封装 结构 | ||
【主权项】:
一种发光二极管封装结构,其特征在于,包含:一凹槽,由一底部与至少一边墙所形成;以及一发光元件,设置于该底部上,该底部相对的两侧位置为一非对称结构;该至少一边墙的数量为两个,包含一第一边墙及一第二边墙,该发光元件迭设于一内表面,该第一边墙与该第二边墙分别位于该底部的相对两侧,并凸出于该底部的该内表面,该第一边墙具有一第一反射面,该第二边墙具有一第二反射面,该第二反射面非对称于该第一反射面。
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